Martin Stutzmann

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2016
Cytowania	38880	9187
h-indeks	91	41
i10-indeks	467	205

2300

1150

575

1725

1985198619871988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021119 127 271 227 290 186 439 329 565 500 478 455 489 555 593 775 844 854 1154 1173 1263 1391 1430 1593 1520 1689 1816 2065 2210 2016 2010 2007 1993 1837 1727 1578 43

Współautorzy

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität FreiburgZweryfikowany adres z inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität MünchenZweryfikowany adres z wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenZweryfikowany adres z ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAZweryfikowany adres z icn2.cat
Roman DimitrovFinisarZweryfikowany adres z finisar.com
Ian D. SharpWalter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universität MünchenZweryfikowany adres z wsi.tum.de
James R. ShealyCornell UniversityZweryfikowany adres z ece.cornell.edu
WARREN B JACKSONPrincipal ScientistZweryfikowany adres z parc.com
Carlos F. O. Graeff (ORCID:0000-0003...Professor Titular do DF-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPZweryfikowany adres z unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-EssenZweryfikowany adres z uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der WissenschaftenZweryfikowany adres z wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research CenterZweryfikowany adres z parc.com
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff UniversityZweryfikowany adres z cardiff.ac.uk
Sebastian GoennenweinProfessor for Solid State Physics, Technische Universität DresdenZweryfikowany adres z tu-dresden.de
Gema Martínez CriadoInstituto de Ciencia de Materiales de MadridZweryfikowany adres z csic.es
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für KristallzüchtungZweryfikowany adres z ikz-berlin.de
Manuel CardonaMax Planck InstitutZweryfikowany adres z fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU MünchenZweryfikowany adres z wsi.tum.de
Paolo LugliFree University of Bozen-BolzanoZweryfikowany adres z unibz.it
Lucas H. HessLawrence Berkeley National LaboratoryZweryfikowany adres z lbl.gov

Martin Stutzmann

Professor für Physik, Walter Schottky Institut, Technische Universität München

Zweryfikowany adres z wsi.tum.de - Strona główna

Semiconductor Physics


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ... Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999	2944	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ... Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000	1692	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai Physical Review B 32 (1), 23, 1985	1503	1985
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1131	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1032	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ... Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997	671	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ... Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998	600	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ... Nature materials 3 (10), 736-742, 2004	579	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied physics letters 88 (20), 203107, 2006	522	2006
The defect density in amorphous silicon M Stutzmann Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989	425	1989
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff MK Kelly, RP Vaudo, VM Phanse, L Görgens, O Ambacher, M Stutzmann Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999	370	1999
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997	354	1997
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	349	1996
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ... Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998	334	1998
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	326	2003
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street Physical Review B 35 (11), 5666, 1987	325	1987
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ... Physical Review B 83 (8), 081304, 2011	293	2011
Electronic properties of semiconducting FeSi₂ films CA Dimitriadis, JH Werner, S Logothetidis, M Stutzmann, J Weber, ... Journal of applied physics 68 (4), 1726-1734, 1990	287	1990
Influence of substrate‐induced biaxial compressive stress on the optical properties of thin GaN films W Rieger, T Metzger, H Angerer, R Dimitrov, O Ambacher, M Stutzmann Applied physics letters 68 (7), 970-972, 1996	265	1996
Optical process for liftoff of group III-nitride films MK Kelly, O Ambacher, R Dimitrov, R Handschuh, M Stutzmann Physica Status Solidi-A-Applied Research 159 (1), R3, 1997	262	1997

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Prześlij plik w formacie PDF

Obserwuj tego autora

Cytowane przez

Współautorzy