Martin Stutzmann

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	45828	7509
h-indeks	98	34
i10-indeks	515	154

2300

1150

575

1725

1986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025136 290 217 281 215 449 374 615 524 520 506 538 582 592 812 861 900 1184 1167 1289 1386 1345 1642 1548 1690 1907 2096 2217 2078 2044 2091 2051 1967 1836 1745 1624 1410 1293 1250 186

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

100 artykułów

78 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität FreiburgZweryfikowany adres z inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität MünchenZweryfikowany adres z wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenZweryfikowany adres z ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAZweryfikowany adres z icn2.cat
Roman DimitrovFinisarZweryfikowany adres z finisar.com
Hartmut WiggersUniversity of Duisburg-EssenZweryfikowany adres z uni-due.de
James R. ShealyCornell UniversityZweryfikowany adres z ece.cornell.edu
Josef Gerhard MüllerMunich University of Applied SciencesZweryfikowany adres z hm.edu
WARREN B JACKSONPrincipal ScientistZweryfikowany adres z parc.com
Carlos F. O. Graeff FRSC (ORCID:000...Professor Titular do DFM-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPZweryfikowany adres z unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-EssenZweryfikowany adres z uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der WissenschaftenZweryfikowany adres z wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research CenterZweryfikowany adres z parc.com
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für KristallzüchtungZweryfikowany adres z ikz-berlin.de
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff UniversityZweryfikowany adres z cardiff.ac.uk
Manuel CardonaMax Planck InstitutZweryfikowany adres z fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU MünchenZweryfikowany adres z wsi.tum.de
Gyorgy CsabaPázmány Péter Catholic University, formerly University of Notre DameZweryfikowany adres z itk.ppke.hu
Gema Martínez CriadoEuropean Synchrotron Radiation FacilityZweryfikowany adres z esrf.fr
Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTZweryfikowany adres z icrea.cat

Obserwuj

Martin Stutzmann

Professor (retired) of Experimental Physics, Walter Schottky Institut, TU München

Zweryfikowany adres z tum.de - Strona główna

Semiconductor Physics


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ... Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999	3814	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ... Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000	2176	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai Physical Review B 32 (1), 23, 1985	1578	1985
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1437	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1125*	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ... Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997	813	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ... Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998	747	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ... Nature materials 3 (10), 736-742, 2004	652	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied physics letters 88 (20), 2006	588	2006
The defect density in amorphous silicon M Stutzmann Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989	449	1989
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997	427	1997
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff MKKMK Kelly, RPVRP Vaudo, VMPVM Phanse, LGL Görgens, ... Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999	421	1999
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (8), 081304, 2011	417	2011
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	389	1996
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	370	2003
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ... Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998	369	1998
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street Physical Review B 35 (11), 5666, 1987	369	1987
Electronic properties of semiconducting FeSi₂ films CA Dimitriadis, JH Werner, S Logothetidis, M Stutzmann, J Weber, ... Journal of applied physics 68 (4), 1726-1734, 1990	321	1990
Graphene transistor arrays for recording action potentials from electrogenic cells LH Hess, M Jansen, V Maybeck, MV Hauf, M Seifert, M Stutzmann, ... Advanced Materials 23 (43), 5045, 2011	303	2011
Optical process for liftoff of group III-nitride films MK Kelly, O Ambacher, R Dimitrov, R Handschuh, M Stutzmann Physica Status Solidi A (Applied Research) 159, 1997	302	1997

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy