Tingxin Li

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2019
Cytowania	3605	3481
h-indeks	18	18
i10-indeks	20	20

1400

700

350

1050

20162017201820192020202120222023202433 37 38 78 212 446 611 816 1309

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

22 artykuły

1 artykuł

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Jie ShanCornell UniversityZweryfikowany adres z cornell.edu
Kin Fai MakCornell UniversityZweryfikowany adres z cornell.edu
Shengwei JiangCornell universityZweryfikowany adres z cornell.edu
Kenji WatanabeNational Institute for Materials ScienceZweryfikowany adres z nims.go.jp
Yang XuInstitute of Physics, Chinese Academy of SciencesZweryfikowany adres z iphy.ac.cn
Yang Zhang (张阳)University of Tennessee Knoxville, MIT, MPI CPfS/IFWZweryfikowany adres z utk.edu
Xiaoxue LiuTsung-Dao Lee Institute, Shanghai Jiao Tong UniversityZweryfikowany adres z sjtu.edu.cn
Yanhao TangZhejiang UniversityZweryfikowany adres z zju.edu.cn
Jinfeng JiaDept. of Phys., Shanghai Jiaotong UniversityZweryfikowany adres z sjtu.edu.cn
T.TaniguchiNational Institute for Materials ScienceZweryfikowany adres z nims.go.jp
Song LiuColumbia UniversityZweryfikowany adres z columbia.edu
Jiacheng ZhuCornell UniversityZweryfikowany adres z cornell.edu
Liang FuMassachusetts Institute of TechnologyZweryfikowany adres z mit.edu
Allan H. MacDonaldUniversity of Texas Austin, Indiana University, NRC Canada, U of TorontoZweryfikowany adres z physics.utexas.edu
Kaifei KangCornell UniversityZweryfikowany adres z cornell.edu
Fan XuShanghai Jiao Tong UniversityZweryfikowany adres z sjtu.edu.cn
Katayun BarmakPhilips Electronics Professor, Dept. of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia UniversityZweryfikowany adres z columbia.edu
Zhiwen ShiProfessor of Physics, Shanghai Jiao Tong UniversityZweryfikowany adres z sjtu.edu.cn
Zefang Wangpostdoc, Cornell UniversityZweryfikowany adres z psu.edu
Nikhil SivadasSenior Research Engineer, Samsung - AMLZweryfikowany adres z samsung.com

Obserwuj

Tingxin Li

Shanghai Jiao Tong University

Zweryfikowany adres z sjtu.edu.cn

Quantum Transport Two-dimensional electron systems 2D materials


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Simulation of Hubbard model physics in WSe 2/WS 2 moiré superlattices Y Tang, L Li, T Li, Y Xu, S Liu, K Barmak, K Watanabe, T Taniguchi, ... Nature 579 (7799), 353-358, 2020	809	2020
Pressure-controlled interlayer magnetism in atomically thin CrI 3 T Li, S Jiang, N Sivadas, Z Wang, Y Xu, D Weber, JE Goldberger, ... Nature materials 18 (12), 1303-1308, 2019	498	2019
Nonlinear anomalous Hall effect in few-layer WTe 2 K Kang, T Li, E Sohn*, J Shan, KF Mak Nature materials 18 (4), 324, 2019	488	2019
Quantum anomalous hall effect from intertwined moiré bands T Li, S Jiang, B Shen, Y Zhang, L Li, Z Tao, T Devakul, K Watanabe, ... Nature 600 (7890), 641-646, 2021	414	2021
Continuous Mott transition in semiconductor moiré superlattices T Li, S Jiang, L Li*, Y Zhang, K Kang, J Zhu, K Watanabe, T Taniguchi, ... Nature 597 (7876), 350-354, 2021	287	2021
Observation of Integer and Fractional Quantum Anomalous Hall Effects in Twisted Bilayer F Xu, Z Sun, T Jia, C Liu, C Xu, C Li, Y Gu, K Watanabe, T Taniguchi, ... Physical Review X 13 (3), 031037, 2023	280	2023
Stripe phases in WSe 2/WS 2 moiré superlattices C Jin, Z Tao, T Li*, Y Xu, Y Tang, J Zhu, S Liu, K Watanabe, T Taniguchi, ... Nature Materials, 1-5, 2021	229	2021
Observation of a Helical Luttinger Liquid in Quantum Spin Hall Edges T Li, P Wang, H Fu, L Du, KA Schreiber, X Mu, X Liu, G Sullivan, ... Physical review letters 115 (13), 136804, 2015	170	2015
Tuning Edge States in Strained-Layer InAs/GaInSb Quantum Spin Hall Insulators L Du, T Li, W Lou, X Wu, X Liu, Z Han, C Zhang, G Sullivan, A Ikhlassi, ... Physical Review Letters 119 (5), 056803, 2017	81	2017
Charge-order-enhanced capacitance in semiconductor moiré superlattices T Li, J Zhu, Y Tang, K Watanabe, T Taniguchi, V Elser, J Shan, KF Mak Nature nanotechnology 16 (10), 1068-1072, 2021	60	2021
Valley-Coherent Quantum Anomalous Hall State in AB-Stacked Bilayers Z Tao, B Shen, S Jiang, T Li, L Li, L Ma, W Zhao, J Hu, K Pistunova, ... Physical Review X 14 (1), 011004, 2024	51	2024
Anomalous Conductance Oscillations in the Hybridization Gap of Quantum Wells Z Han, T Li, L Zhang, G Sullivan, RR Du Physical review letters 123 (12), 126803, 2019	30	2019
Tunable superconductivity in electron-and hole-doped Bernal bilayer graphene C Li, F Xu, B Li, J Li, G Li, K Watanabe, T Taniguchi, B Tong, J Shen, L Lu, ... Nature, 1-7, 2024	25	2024
Low-temperature conductivity of weakly interacting quantum spin Hall edges in strained-layer InAs/GaInSb T Li, P Wang, G Sullivan, X Lin, RR Du Physical Review B 96 (24), 241406, 2017	25	2017
Quantum Oscillations in Two-Dimensional Insulators Induced by Graphite Gates J Zhu, T Li, AF Young, J Shan, KF Mak Physical Review Letters 127 (24), 247702, 2021	23	2021
Graphene nanoribbons grown in hBN stacks for high-performance electronics B Lyu, J Chen, S Wang, S Lou, P Shen, J Xie, L Qiu, I Mitchell, C Li, C Hu, ... Nature 628 (8009), 758-764, 2024	22	2024
Intrinsic spin Hall torque in a moiré Chern magnet CL Tschirhart, E Redekop, L Li, T Li, S Jiang, T Arp, O Sheekey, ... Nature Physics 19 (6), 807-813, 2023	22	2023
Observation of spin polarons in a frustrated moiré Hubbard system Z Tao, W Zhao, B Shen, T Li, P Knüppel, K Watanabe, T Taniguchi, ... Nature Physics, 1-5, 2024	19	2024
Possible transport evidence for three-dimensional topological superconductivity in doped β-PdBi₂ A Kolapo, T Li, P Hosur, JH Miller Jr Scientific Reports 9 (1), 12504, 2019	18	2019
Giant spin Hall effect in AB-stacked MoTe₂/WSe₂ bilayers Z Tao, B Shen, W Zhao, NC Hu, T Li, S Jiang, L Li, K Watanabe, ... Nature Nanotechnology 19 (1), 28-33, 2024	15	2024

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy