Utwórz swój profil
Cytowane przez
Wszystkie | Od 2019 | |
---|---|---|
Cytowania | 19082 | 4706 |
h-indeks | 54 | 27 |
i10-indeks | 536 | 113 |
Dostęp publiczny
Wyświetl wszystko17 artykułów
7 artykułów
dostępne
niedostępne
Objęte finansowaniem
Współautorzy
- Mikhail I. Lomaev (Михаил Иванович...Institute of High Current Electronics, SB RAS ; TSUZweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Eduard A. Sosnin (Эдуард Анатольев...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Victor S. Skakun (Виктор Семенович...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Dmitry A. Sorokin (Дмитрий Алексеев...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Alexei N. Panchenko (Алексей Никол...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН, ЛабораторияZweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Dmitry V. Beloplotov (Дмитрий Виктор...Institute of High Current Electronics SB RASZweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Victor M. Orlovsky (Виктор Михайлов...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Alexander G. Burachenko (Александр...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Mikhail V. Erofeev (Михаил Владимир...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Evgeny Kh. Baksht (Евгений Хаимови...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Mikhail A. Shulepov (Михаил Алексан...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН, лабораторияZweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Victor A. Panarin (Виктор Александро...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Evgeniy I. Lipatov (Евгений Игоревич...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Sergei M. Avdeev (Сергей Михайлов...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники)Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru
- Tao Shao (邵涛)Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences (中国科学院电工研究所)Zweryfikowany adres z mail.iee.ac.cn
- Cheng ZhangInstitute of Electrical Engineering, Chinese Academy of SciencesZweryfikowany adres z mail.iee.ac.cn
- Vasily KozhevnikovIndependent Researcher (Senior IEEE, Ph.D., D.Eng.)Zweryfikowany adres z kozhevnikov.space
- Геннадий МесяцТомский политехнический университетZweryfikowany adres z tpu.ru
- Dmitry E. Genin (Дмитрий Евгеньевич...Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН))Zweryfikowany adres z vtomske.ru
- Владимир Олешко (Vladimir Oleshko)Томский политехнический университетZweryfikowany adres z tpu.ru
Obserwuj
Victor F. Tarasenko (Виктор Федотович Тарасенко)
Institute of High Current Electronics SB RAS (Институт сильноточной электроники СО РАН)
Zweryfikowany adres z loi.hcei.tsc.ru - Strona główna