Jaroslaw Z. Domagala

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2019
Cytowania	3780	1112
h-indeks	30	16
i10-indeks	118	31

240

120

180

19951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202413 12 36 21 50 50 83 113 89 97 139 97 116 130 115 115 140 150 198 182 129 139 234 187 200 219 197 187 236 70

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

28 artykułów

5 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Janusz SadowskiInstitute of Physics Polish Academy of Sciences OR Linnaeus University OR Lund UniversityZweryfikowany adres z ensemble3.eu
Michał LeszczynskiZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Wojciech PaszkowiczProfessor of Materials Science, Institute of Physics, WarsawZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Andrzej SzczerbakowInstitute of Physics Polish Acad. Sci.Zweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Slawomir KretInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Piotr DluzewskiInstitute of Phisics PASZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Marek GodlewskiInstytut Fizyki PANZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Michal BockowskiInstitute of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Roman MinikayevInstitute of Physics PAS, Warsaw Zweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Robert CzerneckiInstitue of High Pressure Physics PASZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Elżbieta GuziewiczInstitute of Physics Polish Academy of Sciences & Los Alamos National LaboratoryZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Henryk TeisseyreInstitute of Physics of the Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Roland MathieuUppsala UniversityZweryfikowany adres z angstrom.uu.se
P. SvedlindhUppsala UniversityZweryfikowany adres z angstrom.uu.se
Maciej SawickiInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Grzegorz KarczewskiInstytut Fizyki, Polska Akademia NaukZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Anna ReszkaInstitute of Physics Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Eliana KaminskaInstitute of Electron Technology, Institute of High Pressure PhysicsZweryfikowany adres z unipress.waw.pl
Krzysztof DybkoInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl
Tomasz DietlInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesZweryfikowany adres z ifpan.edu.pl

Obserwuj

Jaroslaw Z. Domagala

Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland

Zweryfikowany adres z ifpan.edu.pl

Materials Science Crystallography Physics


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Electrical and optical properties of NiO films deposited by magnetron sputtering. M Guziewicz, J Grochowski, M Borysiewicz, E Kaminska, JZ Domagala, ... Optica Applicata 41 (2), 2011	122	2011
Influence of defects on the lattice constant of GaMnAs J Sadowski, JZ Domagala Physical Review B 69 (7), 075206, 2004	105	2004
Basic ammonothermal growth of Gallium Nitride–State of the art, challenges, perspectives M Zajac, R Kucharski, K Grabianska, A Gwardys-Bak, A Puchalski, ... Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 64 (3), 63-74, 2018	97	2018
Structural and magnetic properties of GaMnAs layers with high Mn-content grown by migration-enhanced epitaxy on GaAs (100) substrates J Sadowski, R Mathieu, P Svedlindh, JZ Domagała, J Bak-Misiuk, ... Applied Physics Letters 78 (21), 3271-3273, 2001	83	2001
Structural and magnetic properties of molecular beam epitaxy grown GaMnAs layers J Sadowski, JZ Domagała, J Bak-Misiuk, S Koleśnik, M Sawicki, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2000	83	2000
The microstructure of gallium nitride monocrystals grown at high pressure M Leszczynski, I Grzegory, H Teisseyre, T Suski, M Bockowski, J Jun, ... Journal of crystal growth 169 (2), 235-242, 1996	81	1996
Postgrowth annealing of (Ga, Mn) As under As capping: An alternative way to increase TC M Adell, L Ilver, J Kanski, V Stanciu, P Svedlindh, J Sadowski, ... Applied Physics Letters 86 (11), 2005	80	2005
Observation of topological crystalline insulator surface states on (111)-oriented Pb 1− x Sn x Se films CM Polley, P Dziawa, A Reszka, A Szczerbakow, R Minikayev, ... Physical Review B 89 (7), 075317, 2014	78	2014
Effect of Mn interstitials on the lattice parameter of I Kuryliszyn-Kudelska, JZ Domagała, T Wojtowicz, X Liu, E Łusakowska, ... Journal of applied physics 95 (2), 603-608, 2004	75	2004
Relaxation of InGaN thin layers observed by x-ray and transmission electron microscopy studies Z Liliental-Weber, M Benamara, J Washburn, JZ Domagala, J Bak-Misiuk, ... Journal of electronic materials 30, 439-444, 2001	62	2001
Misfit strain anisotropy in partially relaxed lattice-mismatched InGaAs/GaAs heterostructures O Yastrubchak, T Wosiński, JZ Domagała, E Łusakowska, T Figielski, ... Journal of Physics: Condensed Matter 16 (2), S1, 2003	52	2003
Monocrystalline ZnO films on GaN/Al2O3 by atomic layer epitaxy in gas flow K Kopalko, M Godlewski, JZ Domagala, E Lusakowska, R Minikayev, ... Chemistry of materials 16 (8), 1447-1450, 2004	49	2004
Lattice constant of doped semiconductor M Leszczyński, E Litwin-Staszewska, T Suski, J Bąk-Misiuk, J Domagała Acta Physica Polonica A 88 (5), 837-840, 1995	49	1995
Influence of GaN substrate off‐cut on properties of InGaN and AlGaN layers M Sarzynski, M Leszczynski, M Krysko, JZ Domagala, R Czernecki, ... Crystal Research and Technology 47 (3), 321-328, 2012	48	2012
Monocrystalline zinc oxide films grown by atomic layer deposition T Krajewski, G Łuka, B Witkowski, B Kowalski, K Kopalko, JZ Domagala, ... Thin Solid Films 518 (16), 4556-4559, 2010	48	2010
Thermal properties of CaNdAlO4 and SrLaAlO4 single crystals P Byszewski, J Domagała, J Fink-Finowicki, A Pajaczkowska Materials research bulletin 27 (4), 483-490, 1992	45	1992
High-pressure high-temperature annealing of ion-implanted GaN films monitored by visible and ultraviolet micro-Raman scattering M Kuball, JM Hayes, T Suski, J Jun, M Leszczynski, J Domagala, HH Tan, ... Journal of Applied Physics 87 (6), 2736-2741, 2000	44	2000
Thermal expansion of bulk and homoepitaxial GaN V Kirchner, H Heinke, D Hommel, JZ Domagala, M Leszczynski Applied Physics Letters 77 (10), 1434-1436, 2000	40	2000
Photoreflectance study of the fundamental optical properties of (Ga, Mn) As epitaxial films O Yastrubchak, J Żuk, H Krzyżanowska, JZ Domagala, T Andrearczyk, ... Physical Review B 83 (24), 245201, 2011	39	2011
Lattice dilation by free electrons in heavily doped GaAs: Si M Leszczynski, J Bak‐Misiuk, J Domagala, J Muszalski, M Kaniewska, ... Applied physics letters 67 (4), 539-541, 1995	38	1995

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy